Galijum arsenid
(преусмерено са GaAs)
| |
| |
| Nazivi | |
|---|---|
| Preferisani IUPAC naziv
Galijum arsenida | |
| Identifikacija | |
3D model (Jmol)
|
|
| ChemSpider | |
| ECHA InfoCard | 100.013.741 |
| EC broj | 215-114-8 |
| MeSH | gallium+arsenide |
| RTECS | LW8800000 |
| UN broj | 1557 |
| |
| Svojstva | |
| GaAs | |
| Molarna masa | 144,645 g mol−1 |
| Agregatno stanje | Tamno crveni, staklasti kristali |
| Gustina | 5,316 g cm−3[3] |
| Tačka topljenja | 1.238 °C; 2.260 °F; 1.511 K |
| nerastvoran | |
| Energijska barijera | 1.424 eV (na 300 K) |
| Elektronska mobilnost | 8500 cm²/(V·s) (na 300 K) |
| Toplotna provodljivost | 0.55 W/(cm·K) (at 300 K) |
| Indeks refrakcije (nD) | 3.8[4] |
| Struktura | |
| Kristalna rešetka/struktura | Teseralna |
| Kristalografska grupa | T2d-F-43m |
a = 565,35 pm
| |
| Geometrija molekula | Tetraedralna |
| Oblik molekula (orbitale i hibridizacija) | Linearan |
| Opasnosti | |
| Bezbednost prilikom rukovanja | Spoljašnji MSDS |
| GHS grafikoni |  
|
| GHS signalna reč | Opasnost |
| H301, H331, H410 | |
| P261, P273, P301+310, P311, P501 | |
EU klasifikacija (DSD)
|
 T  N
|
| R-oznake | R23/25, R50/53 |
| S-oznake | (S1/2), S20/21, S28, S45, S60, S61 |
| NFPA 704 | |
Ukoliko nije drugačije napomenuto, podaci se odnose na standardno stanje materijala (na 25 °C [77 °F], 100 kPa). | |
 verifikuj (šta je   ?)
| |
| Reference infokutije | |
Galijum arsenid (GaAs) je jedinjenje elementa galijuma i arsenika. On je III/V poluprovodnik, i koristi se u proizvodnji uređaja kao što su integrisana kola mikrotalasne frekvencije, monolitna mikrotalasna integrisana kola, infracrvena svetlećih dioda, laserskih dioda, solarnih ćelija i optičkih prozora.
Priprema i hemija
[уреди | уреди извор]U ovom jedinjenju, galijum ima +3 oksidaciono stanje. Galijum arsenid se može pripremiti direktnom reakcijom iz elementa, što se koristi u brojnim industrijskim procesesima:[5]
- Kristalni rast koristeći peći horizontalne zone u Bridgman-Stokbargerovoj tehnici.
- Likvidno enkapsulirani rast se koristi za proizvodnju kristala visoke čistoće.
Alternativne metode za produkciju filmova od GaAs su:[5][6]
- VPE reakcija gasovitog galijuma i arsenik trihlorida:
- 2 Ga + 2 AsCl3 → 2 GaAs + 3 Cl2
- MOCVD reakcija trimetilgalijuma i arsina:
- Ga(CH3)3 + AsH3 → GaAs + 3 CH4
- 4 Ga + As4 → 4 GaAs ili 2 Ga + As2 → 2 GaAs
Reference
[уреди | уреди извор]- ^ Li Q, Cheng T, Wang Y, Bryant SH (2010). „PubChem as a public resource for drug discovery.”. Drug Discov Today. 15 (23-24): 1052—7. PMID 20970519. doi:10.1016/j.drudis.2010.10.003.
- ^ Evan E. Bolton; Yanli Wang; Paul A. Thiessen; Stephen H. Bryant (2008). „Chapter 12 PubChem: Integrated Platform of Small Molecules and Biological Activities”. Annual Reports in Computational Chemistry. 4: 217—241. doi:10.1016/S1574-1400(08)00012-1.
- ^ P. Patnaik (2003). Handbook of Inorganic Chemicals. McGraw-Hill. стр. 310. ISBN 978-0-07-049439-8.
- ^ Refractive index of GaAs. Ioffe database
- ^ а б S. J. Moss, A. Ledwith (1987). The Chemistry of the Semiconductor Industry. Springer. ISBN 978-0-216-92005-7.
- ^ Lesley Smart, Elaine A. Moore (2005). Solid State Chemistry: An Introduction. CRC Press. ISBN 978-0-7487-7516-3.
Литература
[уреди | уреди извор]- Lesley Smart, Elaine A. Moore (2005). Solid State Chemistry: An Introduction. CRC Press. ISBN 978-0-7487-7516-3.
- S. J. Moss, A. Ledwith (1987). The Chemistry of the Semiconductor Industry. Springer. ISBN 978-0-216-92005-7.
- P. Patnaik (2003). Handbook of Inorganic Chemicals. McGraw-Hill. стр. 310. ISBN 978-0-07-049439-8.
Spoljašnje veze
[уреди | уреди извор]
| Државне | |
|---|---|
| Остале | |
